接下来，我们将要攻克的，是整个半导体产业链中，技术壁垒最高、投资规模最大、竞争也最为惨烈的一块硬骨头——存储芯片！”
“‘神农存储’计划，在内部已经启动了超过一年。现在，是时候将其提升到集团最高战略优先级，集全公司之力，打一场真正意义上的存储芯片攻坚战了！”
林轩的话音刚落，会议室内的气氛，便陡然变得凝重起来。
在座的都是身经百战的科技将领，他们比任何人都清楚，进军存储芯片领域，将意味着什么。
“大佬”首席技术官陈家俊首先开口，语气中带着一丝凝重，“存储芯片的难度，远非显示面板或CIS可比。它不仅仅是设计问题，更是材料、工艺、设备、以及大规模量产良率控制的极致考验。”
“DRAM，每一个存储单元都由一个晶体管和一个电容器构成，要在指甲盖大小的芯片上，集成数百亿个这样微小的、且性能高度一致的单元，其工艺难度堪称‘在针尖上跳芭蕾’！”
“目前最先进的DRAM，已经进入1X、1Y、1Z纳米时代，其沟槽电容的深宽比、高K金属栅的材料选择、以及光刻套刻的精度要求，都达到了现有半导体制造工艺的极限！”
“NAND Flash，特别是3D NAND，”他继续道，“虽然在存储单元结构上与DRAM有所不同，但其核心技术在于‘垂直堆叠’！
“要在硅片上像盖摩天大楼一样，堆叠起数十层甚至上百层存储单元，每一层的厚度、均匀性、以及层与层之间的垂直刻蚀与填充，都对设备精度和工艺控制提出了匪夷所SHANG的要求！目前，三星和铠侠（东芝）在3D NAND的堆叠层数上，已经遥遥领先。”
“更重要的是，”负责核心工艺的顾维钧也补充道，“存储芯片是一个典型的‘赢家通吃’的产业。”
“三星、海力士、美光这些巨头，凭借其庞大的产能、持续的研发投入、以及对上下游产业链的强大掌控力，已经构建起了极高的进入壁垒。”
“他们不仅手握数万项核心专利，形成密不透风的‘专利地雷阵’，更擅长利用存储市场固有的周期性波动，通过逆周期投资和价格战，将任何潜在的追赶者，扼杀在摇篮之中。”
“我们现在杀进去，无异于虎口夺食，难度可想而知。”
李志远博士也从EDA和IP的角度表达了担忧：“存储芯片的设计，虽然在逻辑复杂度上不如CPU或SoC，但其对电路的性能、功耗、以及版图的极致优化要求极高。”
“而且，其核心的存储阵列设计和时序控制IP，也大多掌握在几大巨头手中，我们想要完全自主设计，并绕开他们的专利网，几乎是不可能的任务。”