然而，在庐州“神农1号”那间灯火通明、气氛却异常凝重的DRAM实验产线控制室内，一位须发皆白、脊背却依旧挺得笔直的东瀛老人，正用他那双布满了岁月沧桑、却依旧闪烁着对技术极致追求的偏执光芒的眼睛，死死地盯着面前巨大的工艺参数监控屏幕。
坂本健一。
这位被林轩从东瀛“三顾茅庐”请出山、将毕生心血都奉献给了存储芯片事业的“教父级”人物，此刻正将他全部的执念，都倾注在了攻克DRAM这座看似不可逾越的技术珠峰之上。
他知道，NAND的初步成功，更多的是依靠林轩提供的“神农之芯”AI主控这个“超级外挂”，以及“伏羲”AI在工艺优化上的“降维打击”。
但在DRAM这个更依赖底层制造工艺和材料科学“硬实力”的领域，AI能起到的辅助作用相对有限，最终还是要靠人，靠经验，靠对每一个工艺细节近乎变态的打磨和控制。
这，也正是坂本健一的骄傲所在，是他证明自己宝刀未老、并实现其在华夏土地上再造一个存储奇迹夙愿的最后战场！
“坂本先生，”一位年轻的、从华清大学微电子所毕业不久的DRAM工艺工程师小刘，看着刚刚从测试探针台传回来的、一片几乎全部失效的12英寸DDR3测试晶圆缺陷分布图，声音带着难以掩饰的沮丧和绝望，
“又……又失败了。这一批次的沟槽电容深宽比刻蚀，均匀性再次失控，大部分存储单元的电容值都远低于设计目标，根本无法有效保持电荷。”
控制室内的气氛，瞬间降到了冰点。这已经是他们本月第五次尝试优化深沟槽刻蚀工艺，但结果依然是令人心碎的失败。
负责刻蚀设备维护的工程师也一脸无奈：“坂本先生，我们这几台从欧罗巴二线厂商买来的、或者从国内其他工厂‘淘换’来的老旧刻蚀机，其等离子体源的稳定性和真空腔体的气密性，实在是……尽力了。想要用它们稳定地刻蚀出深宽比超过80:1、直径只有几十纳米的完美沟槽，这……这真的太难了。”
“材料呢？我们最新采购的那批高K介质前驱体材料，纯度检测结果怎么样？”坂本健一的声音平静得可怕，听不出任何情绪波动。
“纯度……勉强达标。”负责材料分析的工程师小声回答，“但其中几种关键的金属杂质含量，还是略高于三星和海力士内部控制的最高标准。”